STP13N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.55 грн |
| 50+ | 133.97 грн |
| 100+ | 121.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP13N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP13N80K5 за ціною від 94.75 грн до 282.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| STP13N80K5 | Виробник : ST |
N-MOSFET 800V 12A 450mΩ 190W STP13N80K5 STMicroelectronics TSTP13N80k5 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |