
STP13N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 2439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 115.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP13N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP13N80K5 за ціною від 107.72 грн до 290.26 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V |
на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP13N80K5 | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMESH5™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP13N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMESH5™ |
товару немає в наявності |