
STP13N95K3 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 370.55 грн |
10+ | 276.47 грн |
100+ | 275.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP13N95K3 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP13N95K3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 10 A, 0.68 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.68ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP13N95K3 за ціною від 261.33 грн до 502.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
STP13N95K3 |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||
STP13N95K3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |