Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP14NM50N

STP14NM50N

en.CD00257735.pdf
Код товару: 127161
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP14NM50N за ціною від 68.90 грн до 295.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics STF14NM50N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ ||
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 90W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.36 грн
10+151.39 грн
25+144.77 грн
50+139.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.36 грн
50+150.96 грн
100+146.26 грн
500+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N STP14NM50N STMICROELECTRONICS en.CD00257735.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N STP14NM50N STMicroelectronics en.CD00257735.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N ST en.CD00257735.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N STF14NM50N.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Mounting: THT
Technology: MDmesh™ ||
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.32Ω
Power dissipation: 90W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: 500V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.36 грн
10+151.39 грн
25+144.77 грн
50+139.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.36 грн
50+150.96 грн
100+146.26 грн
500+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
STP14NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
на замовлення 732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14NM50N en.CD00257735.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP14NM50N TSTP14NM50N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+68.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.