
STP14NM50N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 176.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP14NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP14NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP14NM50N за ціною від 60.13 грн до 333.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 8A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 816 pF @ 50 V |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP14NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP14NM50N Код товару: 127161
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP14NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |