Технічний опис STP150N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.
Інші пропозиції STP150N10F7 за ціною від 83.05 грн до 265.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 117nC Pulsed drain current: 440A |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V |
на замовлення 1148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP150N10F7 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STP150N10F7 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Pulsed drain current: 440A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 117nC
Pulsed drain current: 440A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 173.02 грн |
| 5+ | 144.76 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 182.74 грн |
| 50+ | 180.34 грн |
| 100+ | 162.80 грн |
| 500+ | 129.80 грн |
| 1000+ | 111.59 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 182.74 грн |
| 79+ | 180.34 грн |
| 100+ | 162.80 грн |
| 500+ | 129.80 грн |
| 1000+ | 111.59 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 75+ | 189.42 грн |
| 76+ | 186.72 грн |
| 100+ | 167.17 грн |
| 500+ | 131.56 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 190.48 грн |
| 50+ | 187.76 грн |
| 100+ | 168.11 грн |
| 500+ | 132.31 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8115 pF @ 50 V
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.12 грн |
| 50+ | 129.05 грн |
| 100+ | 116.83 грн |
| 500+ | 89.52 грн |
| 1000+ | 83.05 грн |
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP150N10F7 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 110V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)