STP150N10F7AG STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 50 V
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 263.65 грн |
| 50+ | 201.19 грн |
| 100+ | 172.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP150N10F7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції STP150N10F7AG за ціною від 126.3 грн до 286.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP150N10F7AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.0036 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0036ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 100 V STripFET F7 Power MOSFET for Automotive Applications |
на замовлення 815 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 127nC Technology: STripFET™ F7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| STP150N10F7AG | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A On-state resistance: 4.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Gate charge: 127nC Technology: STripFET™ F7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 440A Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO220-3 |
товар відсутній |