Продукція > STMICROELECTRONICS > STP150N10F7AG
STP150N10F7AG

STP150N10F7AG STMicroelectronics

stp150n10f7ag.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-channel 100 V, 4.2 mOhm typ., 110 A, STripFET F7 Power MOSFET in a
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.52 грн
10+177.79 грн
100+122.64 грн
500+103.07 грн
1000+101.11 грн
5000+90.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP150N10F7AG STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm.

Інші пропозиції STP150N10F7AG за ціною від 223.91 грн до 350.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP150N10F7AG STP150N10F7AG STMicroelectronics stp150n10f7ag.pdf Description: N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.95 грн
10+223.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AG STP150N10F7AG STMICROELECTRONICS 3628040.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AG stp150n10f7ag.pdf
STP150N10F7AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 100 V STRIPFET F7 POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 50 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+350.95 грн
10+223.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP150N10F7AG 3628040.pdf
STP150N10F7AG
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP150N10F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 3600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3600µohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.