Продукція > STMICROELECTRONICS > STP15N80K5

STP15N80K5 STMicroelectronics

Name: STP15N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 3770074-3
Price: 391.79 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V

на замовлення 394 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	391.79 грн
50+	197.91 грн
100+	180.55 грн

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STP15N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP15N80K5

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	STP15N80K5	STMICROELECTRONICS	Description: STMICROELECTRONICS - STP15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)	на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

STP15N80K5

SGST-S-A0000145971-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.