| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 348.13 грн |
| 10+ | 200.11 грн |
| 100+ | 146.05 грн |
| 500+ | 135.57 грн |
| 1000+ | 128.58 грн |
| 5000+ | 113.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP15N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP15N80K5 за ціною від 184.41 грн до 400.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP15N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STP15N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 14 A, 0.375 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.375ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 100 V |
на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STP15N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 8.8A; Idm: 56A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 375mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 56A |
товару немає в наявності |