STP160N3LL STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.34 грн |
| 18+ | 43.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP160N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.
Інші пропозиції STP160N3LL за ціною від 47.29 грн до 143.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP160N3LL | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
STP160N3LL | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 125000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP160N3LL | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 136W Gate charge: 42nC Polarisation: unipolar Technology: STripFET™ H6 Drain current: 112A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220-3 |
на замовлення 927 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP160N3LL | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP160N3LL | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP160N3LL | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 136W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
на замовлення 1175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
STP160N3LL | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 413+ | 85.43 грн |
| 500+ | 76.90 грн |
| 1000+ | 70.92 грн |
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 125000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 413+ | 85.43 грн |
| 500+ | 76.90 грн |
| 1000+ | 70.92 грн |
| 10000+ | 60.96 грн |
| 100000+ | 47.29 грн |
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 112A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 136W
Gate charge: 42nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ H6
Drain current: 112A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 115.78 грн |
| 5+ | 89.73 грн |
| 10+ | 82.11 грн |
| 50+ | 64.33 грн |
| 100+ | 63.49 грн |
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 143.20 грн |
| 50+ | 66.71 грн |
| 100+ | 59.78 грн |
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP160N3LL |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)