STP160N3LL STMicroelectronics


735142838607541dm00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.17 грн
18+43.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP160N3LL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP160N3LL за ціною від 47.40 грн до 140.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
10000+61.10 грн
100000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+95.54 грн
6+77.11 грн
10+72.13 грн
50+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
50+65.34 грн
100+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMICROELECTRONICS SGST-S-A0001364394-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics en.DM00091903.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL STP160N3LL STMicroelectronics 735142838607541dm00091903.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL 735142838607541dm00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL 735142838607541dm00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
10000+61.10 грн
100000+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL en.DM00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ H6; unipolar; 30V; 112A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 112A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 480A
Technology: STripFET™ H6
Gate charge: 42nC
на замовлення 927 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+95.54 грн
6+77.11 грн
10+72.13 грн
50+62.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL en.DM00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.26 грн
50+65.34 грн
100+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL SGST-S-A0001364394-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP160N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL en.DM00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2.5 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 packa
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP160N3LL 735142838607541dm00091903.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.