STP16N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 522-531 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 165.25 грн |
| 10+ | 146.86 грн |
| 100+ | 102.75 грн |
| 500+ | 84.40 грн |
| 1000+ | 70.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP16N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції STP16N60M2 за ціною від 101.27 грн до 174.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP16N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Technology: MDmesh™ M2 Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STP16N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.6A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.32Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 19nC Technology: MDmesh™ M2 Pulsed drain current: 48A |
товару немає в наявності |