Продукція > STMICROELECTRONICS > STP16N60M2
STP16N60M2

STP16N60M2 STMicroelectronics

stp16n60m2-1851503.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 522-531 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP16N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції STP16N60M2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP16N60M2 STP16N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000772680-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 SGST-S-A0000772680-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP16N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.