STP16N60M2

STP16N60M2 STMicroelectronics


stp16n60m2-1851503.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 522-531 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.65 грн
10+147.21 грн
100+103.00 грн
500+84.60 грн
1000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP16N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції STP16N60M2 за ціною від 101.51 грн до 174.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP16N60M2 STP16N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000772680-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP16N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+174.96 грн
10+123.79 грн
100+101.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics 725359141290930dm00148525.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics 725359141290930dm00148525.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics 725359141290930dm00148525.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Technology: MDmesh™ M2
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP16N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00148525.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 19nC
Technology: MDmesh™ M2
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.