STP16N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 273.59 грн |
| 50+ | 133.70 грн |
| 100+ | 121.12 грн |
| 500+ | 92.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP16N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP16N65M5 за ціною від 79.67 грн до 354.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 Volt 12 Amp |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP16N65M5 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 279mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C; STP16N65M5 TSTP16N65M5кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP16N65M5 | Виробник : STM |
IPAK/Power MOSFETs Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
STP16N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 7.3A; 25W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7.3A Power dissipation: 25W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 279mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |


