Продукція > STP > STP16NK65Z

STP16NK65Z


STP16NK65Z, STB16NK65Z-S.pdf Виробник:

на замовлення 520 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP16NK65Z

Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP16NK65Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STP16NK65Z STP16NK65Z Виробник : STMicroelectronics STP16NK65Z, STB16NK65Z-S.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 25 V
товар відсутній
STP16NK65Z STP16NK65Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00041932-1223125.pdf MOSFET N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A
товар відсутній