Продукція > STMICROELECTRONICS > STP170N8F7
STP170N8F7

STP170N8F7 STMicroelectronics

729669123777153dm00082615.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 9 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP170N8F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP170N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STP170N8F7 за ціною від 91.32 грн до 331.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP170N8F7 STP170N8F7 STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.25 грн
50+149.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7 STP170N8F7 STMicroelectronics MOSFETs N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+331.05 грн
10+213.80 грн
100+120.03 грн
500+110.24 грн
1000+93.93 грн
5000+91.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7 STP170N8F7 STMICROELECTRONICS Description: STMICROELECTRONICS - STP170N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7 STP170N8F7 STMicroelectronics 729669123777153dm00082615.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7
STP170N8F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.25 грн
50+149.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7
STP170N8F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 12 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+331.05 грн
10+213.80 грн
100+120.03 грн
500+110.24 грн
1000+93.93 грн
5000+91.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7
STP170N8F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP170N8F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP170N8F7 729669123777153dm00082615.pdf
STP170N8F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.