STP170N8F7

STP170N8F7 STMicroelectronics


dm00082615-1797736.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 80 V, 0.003 Ohm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 78 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.70 грн
10+228.43 грн
25+172.15 грн
100+147.76 грн
1000+146.37 грн
2000+142.88 грн
5000+140.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP170N8F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції STP170N8F7 за ціною від 151.99 грн до 306.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP170N8F7 STP170N8F7 Виробник : STMicroelectronics Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8710 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.58 грн
50+151.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.