STP17N80K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 350.62 грн |
| 5+ | 224.86 грн |
| 12+ | 212.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP17N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP17N80K5 за ціною від 152.90 грн до 420.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 9A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.34Ω Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STP17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STP17N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |