STP17N80K5 STMicroelectronics


en.DM00173138.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Gate charge: 26nC
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+342.36 грн
5+286.61 грн
25+252.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP17N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP17N80K5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP17N80K5 STP17N80K5 STMicroelectronics en.DM00173138.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 en.DM00173138.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.