Продукція > STMICROELECTRONICS > STP17N80K5
STP17N80K5

STP17N80K5 STMicroelectronics

en.DM00173138.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+343.31 грн
5+219.41 грн
12+207.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP17N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP17N80K5 за ціною від 149.72 грн до 411.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP17N80K5 STP17N80K5 Виробник : STMicroelectronics stp17n80k5-1851448.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ 14 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+359.62 грн
10+297.09 грн
25+244.39 грн
100+209.90 грн
250+198.16 грн
500+186.41 грн
1000+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 STP17N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 9A; Idm: 56A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.34Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.98 грн
5+273.42 грн
12+249.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 STP17N80K5 Виробник : STMicroelectronics 410481600259063dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 Виробник : STMicroelectronics 410481600259063dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP17N80K5 STP17N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00173138.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 14A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 866 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.