STP185N55F3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 449.63 грн |
10+ | 363.24 грн |
100+ | 293.85 грн |
500+ | 245.13 грн |
1000+ | 209.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP185N55F3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP185N55F3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP185N55F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
STP185N55F3 |
![]() |
на замовлення 17688 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
STP185N55F3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |