STP18N55M5 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 187.32 грн |
| 10+ | 160.3 грн |
| 25+ | 124.08 грн |
| 100+ | 107.99 грн |
| 500+ | 96.3 грн |
| 1000+ | 86.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP18N55M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP18N55M5 за ціною від 84.36 грн до 208.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFET N-Ch 550V 0.18 Ohm 13A Mdmesh M5 |
на замовлення 1362 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 192mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 10A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 192mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |