| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.65 грн |
| 10+ | 141.07 грн |
| 100+ | 107.33 грн |
| 500+ | 91.30 грн |
| 1000+ | 80.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP18N55M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP18N55M5 за ціною від 95.31 грн до 281.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP18N55M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 550V 16A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 100 V |
на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STP18N55M5 | Виробник : STM |
N-Channel 550 V 16A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |