Продукція > STMICROELECTRONICS > STP18N60DM2
STP18N60DM2

STP18N60DM2 STMicroelectronics

STP18N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.74 грн
50+84.74 грн
100+82.02 грн
500+75.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP18N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP18N60DM2 за ціною від 76.19 грн до 146.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP18N60DM2 STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60dm2-1851506.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.46 грн
25+101.81 грн
100+83.45 грн
500+79.82 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2 STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2 STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STP18N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60DM2 Виробник : STMicroelectronics STP18N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 7.6A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.6A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.295Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 20nC
Pulsed drain current: 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.