Продукція > STMICROELECTRONICS > STP18N60M2
STP18N60M2

STP18N60M2 STMicroelectronics

stp18n60m2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.44 грн
10+91.52 грн
27+86.18 грн
100+84.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP18N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II Plus, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP18N60M2 за ціною від 57.73 грн до 228.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 791 pF @ 100 V
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.23 грн
50+103.75 грн
100+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMICROELECTRONICS 2362751.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP18N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.255 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II Plus
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.83 грн
10+104.31 грн
100+94.45 грн
500+73.44 грн
1000+57.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 8A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 166 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.13 грн
10+114.04 грн
27+103.41 грн
100+101.58 грн
250+99.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00086800.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2
на замовлення 1457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.06 грн
10+112.82 грн
100+88.59 грн
500+73.07 грн
1000+66.92 грн
2000+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2
Код товару: 145124
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00086800.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics stp18n60m2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N60M2 Виробник : STMicroelectronics 971679743907515dm0008.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.