STP18N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.98 грн |
| 50+ | 99.06 грн |
| 100+ | 97.35 грн |
| 500+ | 78.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP18N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP18N65M2 за ціною від 75.68 грн до 211.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP18N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP18N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 8A; Idm: 48A; 110W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |