Продукція > STMICROELECTRONICS > STP18N65M2
STP18N65M2

STP18N65M2 STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0000954355-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+194.39 грн
10+108.65 грн
100+106.96 грн
500+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP18N65M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.275 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP18N65M2 за ціною від 68.93 грн до 230.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP18N65M2 STP18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00132456.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.28 грн
10+110.51 грн
100+94.59 грн
500+77.18 грн
1000+70.90 грн
2000+68.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00132456.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 100 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.01 грн
50+110.51 грн
100+99.79 грн
500+76.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716372213833899dm00132456.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716372213833899dm00132456.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18N65M2 STP18N65M2 Виробник : STMicroelectronics 716372213833899dm00132456.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.