STP18N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP18N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP18N65M5 за ціною від 86.20 грн до 194.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V |
на замовлення 872 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP18N65M5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.198 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.198ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STP18N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 9.4A; Idm: 60A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 9.4A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 110W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |