Продукція > STMICROELECTRONICS > STP18NM60N
STP18NM60N

STP18NM60N STMicroelectronics

en.CD00238184.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 52A
Gate charge: 35nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+229.72 грн
10+107.89 грн
50+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP18NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP18NM60N за ціною від 75.61 грн до 244.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP18NM60N STP18NM60N STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.77 грн
50+118.31 грн
100+106.94 грн
500+81.63 грн
1000+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N STMICROELECTRONICS SGSTS35876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N STMicroelectronics en.CD00238184.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
STP18NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+244.77 грн
50+118.31 грн
100+106.94 грн
500+81.63 грн
1000+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N SGSTS35876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP18NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
STP18NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.