STP18NM60N

STP18NM60N STMICROELECTRONICS


SGSTS35876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+107.62 грн
10+98.72 грн
100+97.84 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP18NM60N STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.26 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STP18NM60N за ціною від 76.19 грн до 271.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+179.66 грн
10+90.02 грн
50+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8.2A; Idm: 52A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Pulsed drain current: 52A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.285Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.59 грн
10+112.18 грн
50+107.03 грн
100+103.07 грн
250+97.12 грн
500+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 285mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.00 грн
50+119.21 грн
100+107.74 грн
500+82.25 грн
1000+76.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00238184.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.95 грн
10+174.15 грн
100+115.76 грн
500+96.73 грн
1000+83.25 грн
2000+79.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N en.CD00238184.pdf
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM60N Виробник : STMicroelectronics 1491558980011455cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.