STP18NM80 STMicroelectronics
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 424.96 грн |
| 37+ | 349.35 грн |
| 50+ | 293.24 грн |
| 100+ | 256.76 грн |
| 250+ | 244.02 грн |
| 500+ | 221.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP18NM80 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP18NM80 за ціною від 211.72 грн до 630.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP18NM80 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP18NM80 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
STP18NM80 Код товару: 203647
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
STP18NM80 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |