Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP18NM80

STP18NM80

en.CD00226154.pdf
Код товару: 203647
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP18NM80 за ціною від 211.80 грн до 525.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+464.65 грн
37+381.97 грн
50+320.63 грн
100+280.74 грн
250+266.81 грн
500+242.28 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.01 грн
10+463.42 грн
25+380.97 грн
50+319.78 грн
100+280.00 грн
250+266.10 грн
500+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+471.91 грн
37+385.73 грн
50+322.60 грн
100+282.07 грн
250+268.13 грн
500+242.97 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics 226531982395412cd00226154.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+476.70 грн
10+471.91 грн
25+385.73 грн
50+322.60 грн
100+282.07 грн
250+268.13 грн
500+242.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics en.CD00226154.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+525.76 грн
50+273.80 грн
100+262.30 грн
500+212.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMICROELECTRONICS SGSTS34804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 STP18NM80 STMicroelectronics en.CD00226154.pdf MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 ST en.CD00226154.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+211.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 226531982395412cd00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+464.65 грн
37+381.97 грн
50+320.63 грн
100+280.74 грн
250+266.81 грн
500+242.28 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 226531982395412cd00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+468.01 грн
10+463.42 грн
25+380.97 грн
50+319.78 грн
100+280.00 грн
250+266.10 грн
500+241.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 226531982395412cd00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+471.91 грн
37+385.73 грн
50+322.60 грн
100+282.07 грн
250+268.13 грн
500+242.97 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 226531982395412cd00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+476.70 грн
10+471.91 грн
25+385.73 грн
50+322.60 грн
100+282.07 грн
250+268.13 грн
500+242.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 en.CD00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2070 pF @ 50 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+525.76 грн
50+273.80 грн
100+262.30 грн
500+212.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 SGSTS34804-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP18NM80
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP18NM80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 en.CD00226154.pdf
STP18NM80
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 800 V MDMesh
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP18NM80 en.CD00226154.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 295mOhm; 17A; 190W; -65°C~150°C; STP18NM80 TSTP18NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+211.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.