STP190N55LF3 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 391.54 грн |
50+ | 298.84 грн |
100+ | 256.16 грн |
500+ | 213.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP190N55LF3 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP190N55LF3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP190N55LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
STP190N55LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STP190N55LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STP190N55LF3 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |