STP19NM50N STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 249.04 грн |
| 10+ | 177.88 грн |
| 100+ | 176.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP19NM50N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP19NM50N за ціною від 86.22 грн до 400.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
STP19NM50N THT N channel transistors |
на замовлення 397 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP19NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |