STP19NM50N

STP19NM50N STMicroelectronics


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972DBF40AB3E28&compId=STx19NM50N-DTE.pdf?ci_sign=23b5beaa6cd6193f5d8c7fc011d52b518f0a3be0 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 401 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.86 грн
10+136.36 грн
25+125.33 грн
50+117.44 грн
100+109.56 грн
150+105.62 грн
250+100.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP19NM50N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP19NM50N за ціною від 121.07 грн до 230.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP19NM50N STP19NM50N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6B7972DBF40AB3E28&compId=STx19NM50N-DTE.pdf?ci_sign=23b5beaa6cd6193f5d8c7fc011d52b518f0a3be0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 500V; 10A; 110W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 401 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.84 грн
10+169.93 грн
25+150.39 грн
50+140.93 грн
100+131.47 грн
150+126.75 грн
250+121.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N STP19NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00264734.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 50 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.18 грн
50+160.91 грн
100+137.92 грн
500+126.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N STP19NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00264734.pdf MOSFETs N-Ch 500V 14A Mosfet Mdmesh II Power
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.12 грн
10+158.38 грн
100+136.96 грн
500+129.39 грн
1000+125.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N STP19NM50N Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS49488-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP19NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.2 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+230.89 грн
10+166.37 грн
100+163.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N STP19NM50N Виробник : STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP19NM50N Виробник : STMicroelectronics 1513442964938983cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.