STP200N3LL STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 176.5W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 480A
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 111.99 грн |
| 10+ | 66.25 грн |
| 50+ | 58.71 грн |
| 100+ | 55.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP200N3LL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STP200N3LL за ціною від 30.59 грн до 171.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package |
на замовлення 836 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP200N3LL | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 176.5W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |