
STP200N3LL STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 176.5W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 107.03 грн |
13+ | 63.97 грн |
100+ | 59.36 грн |
500+ | 54.58 грн |
1000+ | 49.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP200N3LL STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 0.00215 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 176.5W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00215ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP200N3LL за ціною від 43.89 грн до 174.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 53nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Mounting: THT Case: TO220-3 |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A On-state resistance: 2.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 53nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 480A Mounting: THT Case: TO220-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP200N3LL | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |