Продукція > STMICROELECTRONICS > STP200N3LL
STP200N3LL

STP200N3LL STMicroelectronics

en.DM00255610.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A; 176.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 176.5W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+118.85 грн
10+81.86 грн
50+70.33 грн
100+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP200N3LL STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 176.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm.

Інші пропозиції STP200N3LL за ціною від 63.25 грн до 150.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP200N3LL STP200N3LL STMicroelectronics en.DM00255610.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.10 грн
50+70.48 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL STP200N3LL STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002643122-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL STP200N3LL STMicroelectronics en.DM00255610.pdf MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL en.DM00255610.pdf
STP200N3LL
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 176.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 25 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+150.10 грн
50+70.48 грн
100+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL SGST-S-A0002643122-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STP200N3LL
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP200N3LL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 2150 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 176.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP200N3LL en.DM00255610.pdf
STP200N3LL
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 3011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.