STP200NF03 STMicroelectronics
на замовлення 3096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 82.95 грн |
| 156+ | 81.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP200NF03 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP200NF03 за ціною від 64.85 грн до 233.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V |
на замовлення 952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 Volt 120 Amp |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STP200NF03 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 30V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ III Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |