Продукція > STMICROELECTRONICS > STP20N65M5
STP20N65M5

STP20N65M5 STMICROELECTRONICS

2259158.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+191.83 грн
10+179.48 грн
100+166.31 грн
500+142.96 грн
1000+120.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP20N65M5 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP20N65M5 за ціною від 99.39 грн до 288.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.06 грн
7+148.31 грн
17+139.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78AB3820B94624745&compId=STP20N65M5.pdf?ci_sign=29098b3fd06eec3746c43ac86bc72929d5b26a0f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.3A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.87 грн
7+184.82 грн
17+167.88 грн
100+163.29 грн
500+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb20n65m5-1850250.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.42 грн
10+260.79 грн
25+119.63 грн
100+115.22 грн
500+104.95 грн
1000+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049308.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1345 pF @ 100 V
на замовлення 689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.98 грн
50+142.21 грн
100+129.02 грн
500+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 Виробник : STMicroelectronics dm0004930.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.