Продукція > STMICROELECTRONICS > STP20N65M5
STP20N65M5

STP20N65M5 STMicroelectronics

en.DM00049308.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.168 Ohm 18A Mdmesh V
на замовлення 940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+277.02 грн
10+140.28 грн
100+110.24 грн
500+90.67 грн
1000+87.41 грн
2000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP20N65M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh V, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

Інші пропозиції STP20N65M5 за ціною від 99.00 грн до 289.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics STP20N65M5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Version: ESD
Drain current: 11.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Polarisation: unipolar
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+283.25 грн
6+158.80 грн
10+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 STMicroelectronics en.DM00049308.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.89 грн
10+183.20 грн
50+142.00 грн
100+120.81 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5 STMICROELECTRONICS 2259158.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 STP20N65M5.pdf
STP20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 11.3A; 130W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Version: ESD
Drain current: 11.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Polarisation: unipolar
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+283.25 грн
6+158.80 грн
10+144.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 en.DM00049308.pdf
STP20N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.89 грн
10+183.20 грн
50+142.00 грн
100+120.81 грн
500+99.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20N65M5 2259158.pdf
STP20N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 18 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.