
STP20N90K5 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 272.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP20N90K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP20N90K5 за ціною від 242.25 грн до 518.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
STP20N90K5 Код товару: 183973
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 40nC Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |