Інші пропозиції STP20N90K5 за ціною від 206.15 грн до 580.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP20N90K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP20N90K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 20 A, 0.21 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.21 Ohm typ., 20 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V |
на замовлення 624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STP20N90K5 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 900V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STP20N90K5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 13A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 80A Gate charge: 40nC |
товару немає в наявності |