Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP20NM50
STP20NM50

STP20NM50

STP20NM50.pdf
Код товару: 2175
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 20 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 1480/40
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 37 шт
  • 22 шт - склад
  • 13 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+116.00 грн
10+105.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP20NM50 за ціною від 210.60 грн до 577.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stp20nm50.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+426.81 грн
10+237.13 грн
25+222.20 грн
50+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.67 грн
50+245.94 грн
100+225.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+577.40 грн
45+319.45 грн
46+313.20 грн
50+297.90 грн
100+254.89 грн
250+242.24 грн
500+211.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics stb20nm50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+577.60 грн
10+319.57 грн
25+313.32 грн
50+298.00 грн
100+254.97 грн
250+242.33 грн
500+211.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMICROELECTRONICS SGSTS18852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 STP20NM50 STMicroelectronics en.CD00002374.pdf MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 stp20nm50.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 20A; 192W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 550V
Drain current: 20A
Power dissipation: 192W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+426.81 грн
10+237.13 грн
25+222.20 грн
50+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 en.CD00002374.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 25 V
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+479.67 грн
50+245.94 грн
100+225.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 stb20nm50.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+577.40 грн
45+319.45 грн
46+313.20 грн
50+297.90 грн
100+254.89 грн
250+242.24 грн
500+211.05 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 stb20nm50.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+577.60 грн
10+319.57 грн
25+313.32 грн
50+298.00 грн
100+254.97 грн
250+242.33 грн
500+211.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 SGSTS18852-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STP20NM50
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 550 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 550V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP20NM50 en.CD00002374.pdf
STP20NM50
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500 Volt 20 Amp
на замовлення 1071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

UU10LFNP-B332 Sumida лінійний фільтр
Код товару: 41420
2 Додати до обраних Обраний товар
UU10LF.pdf
UU10LFNP-B332 Sumida лінійний фільтр
Виробник: Sumida
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Фільтри лінійні, мережеві, дроселі на торі
Опис: лінійний фільтр, L = 3,3mH, DCRmax = 0,71 Ohm, I = 650mA, вертикальний 18,5х17мм, h = 23мм
Каркас: вертикальний 18,5х17мм, h = 23мм
у наявності: 276 шт
  • 255 шт - склад
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+35.00 грн
10+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 23335
2 Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
10nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5,5x10x13mm (MER103K2JB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 10 nF
Ном.напруга, V: 630 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 mm
Part Number: MER103K2JB
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
у наявності: 4653 шт
  • 4203 шт - склад
  • 78 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 136 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 164 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 72 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.50 грн
10+4.10 грн
100+3.70 грн
1000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MER 1,0nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Код товару: 41897
2 Додати до обраних Обраний товар
MER_070523.pdf
MER 1,0nF 630V K (+/-10%), P = 10mm, 5.5x10x13mm (MER102K2JB-Hitano) (конденсатор плівковий)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 nF
Ном.напруга, V: 630 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 10 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 5,5x10x13 mm
Part Number: MER102K2JB
УКТЗЕД: 8532 29 00 00
у наявності: 353 шт
  • 151 шт - склад
  • 101 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 50 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PC817A
Код товару: 18418
10 Додати до обраних Обраний товар
pc817a.pdf
PC817A
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзисторний
Напруга ізоляції Uізол, kV: 5 kV
Струм вх/вих Iвх/Iвих, mA: 50/50 mA
Вихідна напруга Uвих, V: 35 V
Час вмик/вимк Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Робоча температура, °С: -30…+100°C
Кількість каналів: 8542 39 90 00
у наявності: 10066 шт
  • 9645 шт - склад
  • 213 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 162 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 44 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
4+5.00 грн
10+4.40 грн
100+3.90 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 31669
1 Додати до обраних Обраний товар
EXR_080421.pdf
100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)100uF 350V EXR 18x36mm (low imp.) (EXR101M2VB-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 100 µF
Номін. напруга: 350 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп. діапазон: -25...+105°C
Габарити: 18x36 mm
Строк служби: 5000 годин
УКТЗЕД: 8532 22 00 00
у наявності: 130 шт
  • 66 шт - склад
  • 11 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 34 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.