
STP20NM50FD STMicroelectronics
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 118.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP20NM50FD STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 192W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP20NM50FD за ціною від 141.43 грн до 325.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Pulsed drain current: 80A |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 16950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 16948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 192W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 53nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1380 pF @ 25 V |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP20NM50FD | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |