Інші пропозиції STP20NM60FD за ціною від 210.60 грн до 533.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: FDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 45W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
STP20NM60FD | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12811 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
STP20NM60FD | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 4839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 298.81 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 298.81 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 316.81 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 316.81 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 414.40 грн |
| 10+ | 299.01 грн |
| 100+ | 268.31 грн |
| 1000+ | 250.57 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 415.74 грн |
| 48+ | 299.97 грн |
| 100+ | 269.18 грн |
| 1000+ | 251.38 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 600V; 12.6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: FDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 470.56 грн |
| 10+ | 314.24 грн |
| 50+ | 235.47 грн |
| 100+ | 210.60 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 533.91 грн |
| 50+ | 277.78 грн |
| 100+ | 254.97 грн |
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FD - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.29 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP20NM60FD |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






