STP20NM60FP STMicroelectronics
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 116.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP20NM60FP STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP20NM60FP за ціною від 195.68 грн до 605.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4858 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 192W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Power dissipation: 192W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 365 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP20NM60FP | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP20NM60FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP20NM60FP | Виробник : ST |
N-MOSFET 20A 600V 45W STP20NM60FP TSTP20NM60FPкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| STP20NM60FP | Виробник : STMicroelectronics NV |
N-кан. MOSFET 650V, 20A, 0.29Ом, -55...+150, TO-220ISO (MDmesh) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
STP20NM60FP Код товару: 42082
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 600 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/39 |
товару немає в наявності
|






