Продукція > STMICROELECTRONICS > STP21N65M5
STP21N65M5

STP21N65M5 STMicroelectronics

stp21n65m5.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+335.60 грн
50+157.94 грн
100+157.60 грн
500+135.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP21N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP21N65M5 за ціною від 137.72 грн до 361.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP21N65M5 STP21N65M5 Виробник : STMicroelectronics stp21n65m5.pdf MOSFETs N-channel 650 V MDMesh M5
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.07 грн
10+174.04 грн
500+139.99 грн
1000+137.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5 STP21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5 Виробник : STMicroelectronics 1567493300791826cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP21N65M5 Виробник : STMicroelectronics stp21n65m5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M5; unipolar; 650V; 10.7A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ M5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 68A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 179mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.