STP220N6F7

STP220N6F7 STMicroelectronics


1418165408573094dm001.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+155.56 грн
2000+153.17 грн
3000+151.82 грн
4000+145.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP220N6F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 237W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STP220N6F7 за ціною від 54.94 грн до 204.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP220N6F7 STP220N6F7 Виробник : STMicroelectronics 1418165408573094dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+166.67 грн
2000+164.11 грн
3000+162.66 грн
4000+155.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7 STP220N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00122330.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.17 грн
10+82.59 грн
100+69.58 грн
500+61.78 грн
1000+58.29 грн
2000+54.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP220N6F7 STP220N6F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00122330.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 237W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.