
STP22NM60N STMicroelectronics

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 64A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 138.39 грн |
10+ | 115.65 грн |
11+ | 88.44 грн |
28+ | 83.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP22NM60N STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP22NM60N за ціною від 100.69 грн до 276.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 44nC Pulsed drain current: 64A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V |
на замовлення 887 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
STP22NM60N | Виробник : ST |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |