STP22NM60N STMicroelectronics


en.CD00237949.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 64A
Gate charge: 44nC
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.21 грн
10+130.13 грн
50+107.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP22NM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STP22NM60N за ціною від 124.10 грн до 364.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP22NM60N STP22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.08 грн
50+182.44 грн
100+166.15 грн
500+129.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N STP22NM60N STMicroelectronics en.CD00237949.pdf MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N ST en.CD00237949.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 16A STP22NM60N TSTP22NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.08 грн
50+182.44 грн
100+166.15 грн
500+129.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP22NM60N en.CD00237949.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 16A STP22NM60N TSTP22NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+124.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.