STP22NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.87 грн |
| 50+ | 195.46 грн |
| 100+ | 167.54 грн |
| 500+ | 139.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP22NM60N STMicroelectronics
Description: N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STP22NM60N за ціною від 108.9 грн до 278.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| STP22NM60N | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A STP22NM60N TSTP22NM60N кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STP22NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 16A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 125W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 44nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |