STP23N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 395.36 грн |
50+ | 207.15 грн |
100+ | 200.68 грн |
500+ | 167.92 грн |
1000+ | 163.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP23N80K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 16A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP23N80K5 за ціною від 179.07 грн до 430.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP23N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 10A; Idm: 64A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 10A Pulsed drain current: 64A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: MDmesh™ K5 |
товару немає в наявності |