STP240N10F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V
на замовлення 8918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 299.22 грн |
50+ | 150.00 грн |
100+ | 136.61 грн |
500+ | 116.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP240N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP240N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 0.00285 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP240N10F7 за ціною від 130.87 грн до 409.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00285ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ F7 |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 110A; Idm: 440A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Pulsed drain current: 440A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ F7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 62 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP240N10F7 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |