Продукція > STMICROELECTRONICS > STP24N60M2
STP24N60M2

STP24N60M2 STMicroelectronics

STx24N60M2-DTE.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 600V; 12A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: MDmesh™ || Plus
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.87 грн
3+181.21 грн
10+136.75 грн
50+130.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP24N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP24N60M2 за ціною від 75.97 грн до 259.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00070788.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh M2
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.39 грн
10+129.05 грн
100+100.36 грн
500+82.94 грн
1000+75.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M2 STP24N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00070788.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.