Продукція > STMICROELECTRONICS > STP24N60M6
STP24N60M6

STP24N60M6 STMicroelectronics

stp24n60m6.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V
на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.53 грн
50+89.77 грн
100+88.68 грн
500+83.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP24N60M6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP24N60M6 за ціною від 80.19 грн до 175.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6-1851417.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.95 грн
10+111.68 грн
100+91.96 грн
250+91.22 грн
500+83.13 грн
1000+82.40 грн
2000+80.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24N60M6 Виробник : STMicroelectronics stp24n60m6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 10.7A; Idm: 52.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.7A
Pulsed drain current: 52.5A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.