Продукція > STMICROELECTRONICS > STP24NM60N
STP24NM60N

STP24NM60N STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0 Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.00 грн
9+103.21 грн
25+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP24NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP24NM60N за ціною від 107.88 грн до 268.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics en.CD00286763.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 50 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.43 грн
50+122.38 грн
100+120.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145726-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STP24NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.168 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.168ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+249.46 грн
10+216.53 грн
100+133.37 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9AFF6A2D420D2&compId=stp24nm60n.pdf?ci_sign=0502895dfa007625b426782c886800fb9fdda1c0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 650V; 11A; Idm: 68A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.80 грн
9+128.61 грн
25+116.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics stf24nm60n-1850568.pdf MOSFETs N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.00 грн
10+251.51 грн
25+121.10 грн
100+120.36 грн
500+118.16 грн
1000+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics 39cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics 700553018157610cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP24NM60N Виробник : STMicroelectronics 39cd00286763.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.