Продукція > STMICROELECTRONICS > STP25N60M2-EP
STP25N60M2-EP

STP25N60M2-EP STMicroelectronics

STP25N60M2-EP.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.87 грн
50+129.13 грн
100+116.87 грн
500+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP25N60M2-EP STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP25N60M2-EP за ціною від 80.87 грн до 284.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STP25N60M2-EP.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220 pack
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.90 грн
10+144.97 грн
100+114.17 грн
500+93.56 грн
1000+85.63 грн
2000+80.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 730920551038582dm0014.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 730920551038582dm0014.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 730920551038582dm0014.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics 730920551038582dm0014.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP25N60M2-EP Виробник : STMicroelectronics STP25N60M2-EP.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 188mΩ
Drain current: 11.3A
Gate-source voltage: ±25V
Power dissipation: 150W
Pulsed drain current: 72A
Case: TO220-3
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ M2
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.