STP25N60M2-EP STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.08 грн |
| 50+ | 104.08 грн |
| 100+ | 95.91 грн |
| 500+ | 89.72 грн |
| 1000+ | 86.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP25N60M2-EP STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP25N60M2-EP за ціною від 91.00 грн до 154.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ 18 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
 |
STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
| STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.3A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
| STP25N60M2-EP | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 11.3A; Idm: 72A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11.3A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 188mΩ Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |