Технічний опис STP25NM50N ST
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STP25NM50N за ціною від 105.00 грн до 105.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP25NM50N Код товару: 40855
Додати до обраних
Обраний товар
|
ST |
 Транзистори > Польові N-канальніНапруга сток-витік Uds, В: 550 В Струм стоку Idd, А: 21,5 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,150 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/ УКТЗЕД: 8541290010 |
товару немає в наявності
|
|
|||
 |
STP25NM50N | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||
 |
STP25NM50N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| STP25NM50N Код товару: 40855
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 21,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,150 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/
УКТЗЕД: 8541290010
Транзистори > Польові N-канальні
Напруга сток-витік Uds, В: 550 В
Струм стоку Idd, А: 21,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,150 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2280/
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 105.00 грн |
| STP25NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| STP25NM50N |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.