Технічний опис STP25NM50N ST
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±25V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole.
Інші пропозиції STP25NM50N за ціною від 105.00 грн до 105.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP25NM50N Код товару: 40855
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 550 V Idd,A: 21,5 A Rds(on), Ohm: 0,150 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2280/ |
товару немає в наявності
|
|
||||
 |
STP25NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STP25NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
 MOSFETs N-CHANNEL MOSFET Power MDmesh |
товару немає в наявності |