Технічний опис STP26N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Power Dissipation (Max): 169W (Tc), Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V.
Інші пропозиції STP26N60M2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STP26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|
| STP26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||
| STP26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
STP26N60M2 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
STP26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Power Dissipation (Max): 169W (Tc) Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V |
товару немає в наявності |
|
| STP26N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET |
товару немає в наявності |