Інші пропозиції STP26NM60N за ціною від 129.82 грн до 698.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 33042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STP26NM60N | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm |
на замовлення 895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
STP26NM60N | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| STP26NM60N | ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60Nкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 23 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 750+ | 191.10 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ II; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 427.37 грн |
| 7+ | 138.03 грн |
| 19+ | 129.82 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 584.86 грн |
| 10+ | 357.59 грн |
| 50+ | 354.00 грн |
| 100+ | 311.83 грн |
| 500+ | 257.43 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 33042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 584.86 грн |
| 40+ | 357.59 грн |
| 50+ | 354.00 грн |
| 100+ | 311.83 грн |
| 500+ | 257.43 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 688.36 грн |
| 10+ | 387.78 грн |
| 50+ | 383.91 грн |
| 100+ | 334.17 грн |
| 500+ | 272.67 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 698.76 грн |
| 37+ | 393.65 грн |
| 50+ | 389.71 грн |
| 100+ | 339.23 грн |
| 500+ | 276.79 грн |
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP26NM60N |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP26NM60N |
![]() |
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 189.75 грн |






