Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP26NM60N

STP26NM60N

en.CD00232934.pdf
Код товару: 60496
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP26NM60N за ціною від 150.86 грн до 675.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+215.83 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics stp26nm60n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+444.66 грн
10+317.55 грн
25+279.41 грн
50+252.05 грн
100+222.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.01 грн
50+279.32 грн
100+256.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.51 грн
10+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+673.51 грн
38+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+674.21 грн
38+380.87 грн
100+317.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+675.70 грн
10+381.71 грн
100+317.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMICROELECTRONICS en.CD00232934.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.CD00232934.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N STP26NM60N STMicroelectronics en.cd00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N ST en.CD00232934.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
750+215.83 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N stp26nm60n.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ ||
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 140W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 135mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+444.66 грн
10+317.55 грн
25+279.41 грн
50+252.05 грн
100+222.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.CD00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.01 грн
50+279.32 грн
100+256.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+673.51 грн
10+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+673.51 грн
38+377.35 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+674.21 грн
38+380.87 грн
100+317.24 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+675.70 грн
10+381.71 грн
100+317.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.CD00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.CD00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.cd00232934.pdf
STP26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP26NM60N en.CD00232934.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+150.86 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.