Інші пропозиції STP26NM60N за ціною від 152.18 грн до 668.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 12.6A; 140W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.6A Power dissipation: 140W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 135mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 196 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP26NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP26NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh II Power |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STP26NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| STP26NM60N | Виробник : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A STP26NM60N TSTP26NM60N кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| STP26NM60N | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |