STP270N8F7 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 232.03 грн |
| 25+ | 196.73 грн |
| 100+ | 155.77 грн |
| 250+ | 152.29 грн |
| 5000+ | 151.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP270N8F7 STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 80V 180A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 315W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції STP270N8F7 за ціною від 169.19 грн до 359.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STP270N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N CH 80V 180A TO220Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube |
на замовлення 1006 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| STP270N8F7 | Виробник : STM |
MOSFET N CH 80V 180A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
STP270N8F7 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 180A; Idm: 720A Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Gate charge: 193nC On-state resistance: 2.5mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A Power dissipation: 315W Pulsed drain current: 720A Kind of package: tube Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |

