Продукція > STMICROELECTRONICS > STP28N60DM2
STP28N60DM2

STP28N60DM2 STMicroelectronics

ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.97 грн
50+165.47 грн
100+157.08 грн
500+121.73 грн
1000+113.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP28N60DM2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP28N60DM2 за ціною від 123.59 грн до 379.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP28N60DM2 STP28N60DM2 Виробник : STMICROELECTRONICS ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60DM2 - Leistungs-MOSFET, Mdmesh DM2, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.13 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+366.43 грн
10+270.69 грн
100+174.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 STP28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics stb28n60dm2-1850279.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.37 грн
25+196.28 грн
100+155.23 грн
500+128.74 грн
1000+123.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 STP28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics 5281stb28n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60DM2 Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CP%2CW%2928N60DM2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 14A; Idm: 84A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ DM2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.