Продукція > STMICROELECTRONICS > STP28N60M2
STP28N60M2

STP28N60M2 STMicroelectronics

STx28N60M2-DTE.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Version: ESD
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: tube
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ || Plus
Drain current: 14A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.94 грн
3+221.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP28N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 170W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm.

Інші пропозиції STP28N60M2 за ціною від 161.13 грн до 161.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP28N60M2 STP28N60M2 STMICROELECTRONICS 2310309.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 ST en.DM00095328.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+161.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 2310309.pdf
STP28N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 170W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28N60M2 en.DM00095328.pdf
Виробник: ST
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+161.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.