STP28N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolar; 650V; 14A; 170W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ || Plus
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 14A
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.18 грн |
| 3+ | 217.23 грн |
| 10+ | 179.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28N60M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP28N60M2 за ціною від 129.83 грн до 265.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP28N60M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| STP28N60M2 | ST |
Trans MOSFET N-CH 650V 22A STP28N60M2 TSTP28N60M2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STP28N60M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 265.79 грн |
| 50+ | 129.83 грн |
| STP28N60M2 |
|
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 161.48 грн |