
STP28N65M2 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 104.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28N65M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 170W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP28N65M2 за ціною від 90.55 грн до 313.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP28N65M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V |
на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ M2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A Power dissipation: 170W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 35nC Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |