STP28N65M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.60 грн |
| 50+ | 122.59 грн |
| 100+ | 111.04 грн |
| 500+ | 85.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28N65M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP28N65M2 за ціною від 78.03 грн до 276.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STP28N65M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 650V; 13A; Idm: 80A Technology: MDmesh™ M2 Mounting: THT Case: TO220-3 Kind of package: tube On-state resistance: 0.18Ω Drain current: 13A Gate-source voltage: ±25V Power dissipation: 170W Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 650V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 35nC |
товару немає в наявності |