STP28NM50N STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 524.59 грн |
| 10+ | 282.67 грн |
| 100+ | 258.05 грн |
| 500+ | 186.02 грн |
| 1000+ | 170.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28NM50N STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP28NM50N за ціною від 199.01 грн до 541.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STP28NM50N Код товару: 126332
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 550V; 21A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ || Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 550V Drain current: 21A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 158mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |