Продукція > STMICROELECTRONICS > STP28NM50N
STP28NM50N

STP28NM50N STMICROELECTRONICS

2307864.pdf Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+552.20 грн
10+297.55 грн
100+271.63 грн
500+195.81 грн
1000+179.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP28NM50N STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STP28NM50N за ціною від 209.48 грн до 569.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP28NM50N STP28NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.94 грн
50+385.51 грн
100+346.51 грн
500+288.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STP28NM50N Виробник : STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.64 грн
10+295.87 грн
100+240.55 грн
500+209.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N
Код товару: 126332
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00271786.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STP28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STP28NM50N Виробник : STMicroelectronics stb28nm50n.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N Виробник : STMicroelectronics 400920088103406cd002.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.