Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP28NM50N

STP28NM50N

en.CD00271786.pdf
Код товару: 126332
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP28NM50N за ціною від 172.78 грн до 494.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.94 грн
50+254.97 грн
100+233.57 грн
500+184.06 грн
1000+172.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STP28NM50N STMicroelectronics en.CD00271786.pdf MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N STP28NM50N STMICROELECTRONICS 2307864.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+494.94 грн
50+254.97 грн
100+233.57 грн
500+184.06 грн
1000+172.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N en.CD00271786.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP28NM50N 2307864.pdf
STP28NM50N
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.