
STP28NM50N STMicroelectronics
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 502.22 грн |
10+ | 453.59 грн |
25+ | 436.51 грн |
100+ | 356.30 грн |
500+ | 119.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP28NM50N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP28NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 21 A, 0.135 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STP28NM50N за ціною від 119.83 грн до 585.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 25 V |
на замовлення 810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP28NM50N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP28NM50N Код товару: 126332
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
STP28NM50N | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |