STP28NM60ND

STP28NM60ND STMicroelectronics


sgst-s-a0000093292-1.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+417.30 грн
10+210.88 грн
100+173.61 грн
500+159.67 грн
1000+158.97 грн
5000+158.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP28NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STP28NM60ND за ціною від 217.58 грн до 461.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP28NM60ND STP28NM60ND Виробник : STMicroelectronics ST%28B%2CF%2CP%2CW%2928NM60ND_DS.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 100 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.22 грн
50+237.54 грн
100+217.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.