STP2N105K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 175.45 грн |
50+ | 80.93 грн |
100+ | 76.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2N105K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 750mA, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1050 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STP2N105K5 за ціною від 50.57 грн до 178.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 612 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
STP2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.05kV; 950mA; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 0.95A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
![]() |
STP2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
STP2N105K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 1.05kV; 950mA; Idm: 6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ K5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.05kV Drain current: 0.95A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 60W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 10nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |