Технічний опис STP2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP2N80K5 за ціною від 32.83 грн до 119.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STP2N80K5 | STMicroelectronics |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W Case: TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 42W Gate charge: 5nC Polarisation: unipolar Technology: MDmesh™ K5 Drain current: 1.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 800V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.5Ω |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
на замовлення 1215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STP2N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP2N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
STP2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| STP2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ K5
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate charge: 5nC
Polarisation: unipolar
Technology: MDmesh™ K5
Drain current: 1.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.5Ω
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 58.54 грн |
| 9+ | 49.09 грн |
| 10+ | 43.32 грн |
| 25+ | 36.07 грн |
| STP2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.31 грн |
| 50+ | 54.42 грн |
| 100+ | 48.56 грн |
| 500+ | 35.93 грн |
| 1000+ | 32.83 грн |
| STP2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STP2N80K5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STP2N80K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)