Продукція > STMICROELECTRONICS > STP2N80K5
STP2N80K5

STP2N80K5 STMicroelectronics

2152983153181702dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+43.36 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STP2N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STP2N80K5 за ціною від 28.46 грн до 122.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+44.47 грн
11+37.83 грн
50+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00090142.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.49 грн
20+46.78 грн
100+46.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf MOSFETs N-CH 800V 3.5Ohm typ 2A Zener-protected
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.87 грн
10+49.05 грн
100+39.80 грн
500+35.52 грн
1000+31.56 грн
2000+31.32 грн
5000+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 1.3A; Idm: 8A; 42W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate charge: 5nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 800V
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.36 грн
10+47.14 грн
50+44.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00090142.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
на замовлення 1239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.64 грн
50+56.29 грн
100+50.23 грн
500+37.16 грн
1000+33.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP2N80K5 Виробник : STMicroelectronics 2152983153181702dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.