
STP2N80K5 STMicroelectronics
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
17+ | 36.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STP2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2 A, 3.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STP2N80K5 за ціною від 30.31 грн до 46.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.5ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): 30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
STP2N80K5 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |